Переворот в электронике

Молодые новосибирские ученые разрабатывают инновационную технологию создания нитрида галлия — материала, который может стать ключевым компонентом в системах связи следующего поколения и привести к революции в высоковольтных источниках питания и носимых устройствах. Новосибирские ученые создают новое поколение кристаллов для зарядных устройств и сотовых сетей. Разработка проводится в молодежной лаборатории Института физики полупроводников Сибирского отделения РАН. Ключевая цель исследования использование нитрида галлия – важного материала в передовой экономике. Ученым уже удалось создать нитрид галлия на кремниевых подложках. Сейчас они занимаются разработкой буферных слоев, которые являются основой для кристаллов. Исследователям удалось успешно справиться с начальными этапами создания структур. Следующий шаг исследования – разработка верхних слоев структур для транзисторов, способных передавать высокоплостный ток. Автор:Элла Алиева